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DMT35M7LFV-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:76A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M7LFV-7
- 商品编号
- C6832269
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.667nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品体积更小
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-模拟开关