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DMT69M5LFVWQ-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:14.8A 电流:40.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT69M5LFVWQ-7
- 商品编号
- C6832287
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40.6A；14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,13.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20.5W；2.74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.406nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
F10N65L是一款高压功率MOSFET，具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 5.0A条件下，RDS(ON) < 1.0 Ω
- 快速开关能力
- 100%雪崩测试
- 100% △Vds测试