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DMT69M8LFV-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT69M8LFV-13
- 商品编号
- C6832290
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH8810BT6是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FH8810BT6为无铅产品。
商品特性
- 100%非箝位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-同步整流器