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DMTH6016LFVWQ-7-A
1个N沟道 耐压:60V 电流:41A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LFVWQ-7-A
- 商品编号
- C6832302
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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