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DMT67M8LCGQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A 电流:64.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT67M8LCGQ-13
- 商品编号
- C6832281
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64.6A；16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HXY2N65D可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 2 A
- RDS(ON) < 5 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。