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DMT68M8LSS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:12.1A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT68M8LSS-13
- 商品编号
- C6832285
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.107nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超小节省空间封装
- 逻辑电平栅极驱动
- 低外形高度
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS（无豁免）、REACH、冲突矿物法规要求
- 超小节省空间封装
- 逻辑电平栅极驱动
- 低外形高度
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS（无豁免）、REACH、冲突矿物法规要求
应用领域
- 电源管理单元
- 电池供电设备
- 负载开关、极性保护
- 商用/工业级
- 电源监控单元
- 电池供电设备
- 负载开关、极性保护
- 标准规格