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DMT10H032LFVW-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H032LFVW-7
- 商品编号
- C6832254
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA；2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V；11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |