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DMG2302UQ-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG2302UQ-13
- 商品编号
- C6832179
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 594.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-升压应用-模拟开关