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DMN3010LFG-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A 电流:30A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3010LFG-13
- 商品编号
- C6832204
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.075nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准