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DMNH4006SK3-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:90A 电流:18A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH4006SK3-13
- 商品编号
- C6832223
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,86A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑的“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器