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DMN31D6UT-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D6UT-7
- 商品编号
- C6832210
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 210mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻：RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能