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DMN22M5UFG-13实物图
  • DMN22M5UFG-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN22M5UFG-13

1个N沟道 耐压:20V 电流:27A 电流:24A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN22M5UFG-13
商品编号
C6832193
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)27A;24A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)3.926nF
反向传输电容(Crss)538pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 低RDS(ON)— 确保将导通状态损耗降至最低
  • 小外形尺寸、散热高效的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品体积更小
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF