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DMN10H700S-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.7A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H700S-13
- 商品编号
- C6832183
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,0.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 功耗：0.35W