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DMN2055UW-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2055UW-13
- 商品编号
- C6832189
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V；53mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-DC-DC转换器-模拟开关
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