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SIZ322DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:25V 电流:19A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。 优化的RDS-Qg和FOM提高了高频开关效率。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步降压DC/DC转换。 半桥负载点
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ322DT-T1-GE3
- 商品编号
- C727512
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.35mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@12.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
近期成交21单
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