PE42441C
10MHz-8GHzSP4T射频开关
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- 描述
- PE42441是一款采用HaRPTM技术增强的吸收式SP4T射频开关,设计用于多种市场中的切换应用,包括无线基础设施、宽带和无线连接。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42441C
- 商品编号
- C726143
- 商品封装
- LGA-32(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 31dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.2dB | |
| 工作电压 | 3V~3.55V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE42441是一款采用HaRP技术增强的吸收式单刀四掷(SP4T)射频开关,专为包括无线基础设施、宽带和无线连接等多个市场的各种开关应用而设计。 该开关具有四个对称的射频端口,可实现低插入损耗和出色的隔离性能。片上CMOS解码逻辑支持双引脚低压CMOS控制接口。此外,如果射频端口上的直流电压为0 V,则无需外部隔直电容。 PE42441采用pSemi的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性,兼具砷化镓(GaAs)的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 四个对称的50Ω吸收式端口
- 3 GHz时隔离度为45 dB
- 6 GHz时隔离度为39 dB
- 8 GHz时隔离度为31 dB
- 低插入损耗
- 3 GHz时插入损耗为0.8 dB
- 6 GHz时插入损耗为1.0 dB
- 8 GHz时插入损耗为1.2 dB
- 高线性度
- 8 GHz时三阶输入截点(IIP3)为58 dBm
- 8 GHz时二阶输入截点(IIP2)为110 dBm
应用领域
- 无线基础设施
- 宽带
- 无线连接
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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