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PE42542B

PE42542超宽带SP4T射频开关

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描述: PE42542是一种采用HaRP技术增强的吸收型SP4T射频开关，适用于测试/ATE、微波和其他无线应用。该开关在9kHz至18GHz的频率范围内保持出色的RF性能和线性度。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42542B
商品编号: C726144
商品封装: LGA-29(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品概述

PE42542是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀四掷（SP4T）射频开关，专为测试/自动测试设备（ATE）、微波及其他无线应用而设计。这款宽带通用开关在9 kHz至18 GHz频率范围内，能保持出色的射频性能和线性度。PE42542具有低插入损耗、高隔离性能和快速稳定时间等特点。若射频端口无直流电压，则无需使用隔直电容。 PE42542采用pSemi公司的UltraCMOS®工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统互补金属氧化物半导体（CMOS）的经济性和集成度。

商品特性

采用HaRP技术增强
快速稳定时间
无栅极和相位滞后
插入损耗和相位无漂移
低插入损耗
- 在3 GHz时为1.10 dB
- 在13.5 GHz时为2.10 dB
- 在16 GHz时为2.50 dB
- 在18 GHz时为3.10 dB
高隔离度
- 在3 GHz时为55 dB
- 在13.5 GHz时为33 dB
- 在16 GHz时为29 dB
- 在18 GHz时为26 dB
静电放电（ESD）性能
- 所有引脚的人体模型（HBM）为2500 V
- 所有引脚的机器模型（MM）为150 V
- 所有引脚的带电器件模型（CDM）为500 V

应用领域

测试/自动测试设备（ATE）
微波
其他无线应用

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(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	-
	隔离度	55dB

	属性	参数值
	插入损耗	4.5dB
	工作电压	2.3V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃