PE42823A

PE42823是一款采用HaRP™技术增强的50Ω单刀双掷（SPDT）射频保护开关，专为高功率、高性能无线基础设施应用而设计，例如支持高达6 GHz频率的宏基站。 该开关具有高线性度，且在整个电源范围内保持不变。PE42823还具备出色的隔离度、快速开关时间，并采用16引脚3×3×0.75 mm QFN封装。此外，如果射频端口存在0 VDC，则无需外部隔直电容。 PE42823采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。 Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

• 出色的单事件峰值功率处理能力，可达51 dBm LTE
• 在所有频率下均具有出色的线性度性能
  • 输入三阶交调截点（IP3）：70 dBm
  • 输入二阶交调截点（IP2）：105 dBm
• 扩展工作温度范围至+105 ℃
• 1.8V/3.3V TTL兼容控制
• 射频引脚对地的人体模型（HBM）静电放电（ESD）性能高达4.5 kV
• 封装形式：16引脚3×3×0.75 mm QFN

• 4G/4.5G无线基础设施
• 准5G/5G大规模MIMO系统基于时分双工（TDD）的射频收发器