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PE42427A

5-6000MHzSPDT射频开关

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描述: PE42427是一款采用HaRP技术增强的SPDT反射式射频开关，设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛应用。该开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有低电压CMOS兼容控制接口，无需外部元件。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42427A
商品编号: C726135
商品封装: QFN-12-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品概述

PE42427是一款采用HaRP™技术增强的单刀双掷（SPDT）射频开关，设计用于覆盖5 - 6000 MHz的广泛应用范围。这款反射式开关集成了片上CMOS控制逻辑，具备低电压CMOS兼容控制接口，无需外部组件。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS®工艺的一项创新特性，在具备传统CMOS经济性和集成度的同时，性能优于砷化镓（GaAs）。

商品特性

对称单刀双掷反射式开关
低插入损耗
- 在100 MHz时典型值为0.23 dB
- 在1000 MHz时典型值为0.25 dB
- 在3000 MHz时典型值为0.40 dB
- 在5000 MHz时典型值为0.65 dB
- 在6000 MHz时典型值为0.90 dB
低杂散性能，达到 -163 dBm/Hz
宽电源范围为2.3 - 5.5V
出色的线性度
- 在17 MHz时，二阶输入截点（IIP2）为105 dBm
- 在17 MHz时，三阶输入截点（IIP3）为81 dBm
高静电放电（ESD）耐受性
- 射频引脚到地的人体模型（HBM）静电放电耐压为4 kV
- 所有其他引脚的静电放电耐压为1 kV
逻辑选择（LS）引脚为控制逻辑提供了最大的灵活性
采用12引脚2×2 mm QFN封装

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	-
	隔离度	15dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.25dB
	工作电压	2.3V~5.5V
	工作温度	-40℃~+95℃