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CSD19501KCS
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 描述
- CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19501KCS
- 商品编号
- C75779
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.1pF@40V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3980pF @ 40V
功率 - 最大值：217W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3980pF @ 40V
功率 - 最大值：217W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单