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CSD19501KCS
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 描述
- CSD19501KCS 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19501KCS
- 商品编号
- C75779
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.1pF@40V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款 80V、5.5mΩ、TO-220 NexFET 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- TO-220 塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制