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CSD18504Q5A
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
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- 描述
- CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18504Q5A
- 商品编号
- C78118
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.656nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这款 5.3 mΩ、SON 5 mm × 6 mm、40V 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5 mm x 6 mm 塑料封装
应用领域
- 直流/直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电池电机控制
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