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CSD88539NDT
2个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD88539NDT
- 商品编号
- C78704
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 741pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款双通道 SO-8、60V、23mΩ 功率 MOSFET 设计用于在低电流电机控制应用中充当半桥。 特性：
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器