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BTM7740G实物图
  • BTM7740G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BTM7740G

汽车电源

描述
BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员,该系列产品在一个封装中集成了三个芯片:一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚,因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造,该技术将低导通电阻(RDSON)的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。
商品型号
BTM7740G
商品编号
C75776
商品封装
SOIC-28​
包装方式
编带
商品毛重
1.3513克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET
驱动通道数4
属性参数值
工作电压8V~18V
特性欠压保护(UVP);短路保护(SCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+150℃
静态电流(Iq)5uA

商品概述

BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员,该系列产品在一个封装中集成了三个芯片:一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚,因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造,该技术将低导通电阻(RDSON)的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。

商品特性

  • 四路 D-MOS 开关驱动器
  • 可自由配置为桥接或四路开关
  • 针对直流电机管理应用进行了优化
  • 低导通电阻(RDS ON)
    • 高端:典型值 110 mΩ(@25℃),最大值 270 mΩ(@150℃)
    • 低端:典型值 100 mΩ(@25℃),最大值 230 mΩ(@150℃)
  • 峰值电流:典型值 8A(@25℃)
  • 极低的静态电流:典型值 5 μA(@25℃)
  • 小外形、增强功率的 PG-DSO 封装
  • 工作电压最高可达 40 V
  • PWM 频率最高可达 1 kHz
  • 状态标志诊断
  • 短路保护
  • 带迟滞功能的过温关断
  • 内部钳位二极管
  • 带迟滞功能的欠压检测
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 通过 AEC 认证

数据手册PDF

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