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MPT180N08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPT180N08

1个N沟道 耐压:85V 电流:185A

描述
N沟道增强型功率MOSFET通过先进的双沟槽技术获得,该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPT180N08
商品编号
C6719386
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.781克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)185A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)208.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)124nC@10V
输入电容(Ciss)6.234nF
反向传输电容(Crss)97pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = 85 V,VGS = 10 V、ID = 185 A时,Rdson < 4 mΩ(典型值:3 mΩ)
  • 快速开关
  • 低导通电阻(RDS(on) ≤ 4 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 高雪崩耐量
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

-电池管理系统(BMS)-电机驱动器

数据手册PDF