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AGM30P05A
1个P沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- AGM30P05A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P05A
- 商品编号
- C6719407
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V；8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.497nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
MD100N20 是硅 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 MOSFET 技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 200 V，ID = 100 A，RDS(ON) <28mΩ @ VGS = 10 V
- 快速开关
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源