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AGM40P65E
1个P沟道 耐压:40V 电流:2A
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- 描述
- AGM40P65E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P65E
- 商品编号
- C6719414
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM40P65E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器