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MPF40N25
1个N沟道 耐压:250V 电流:40A
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- 描述
- MPF40N25是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF40N25
- 商品编号
- C6719391
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7672克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MD24N50是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
-高频开关模式电源