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MD100N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
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- 描述
- MD100N20是一款硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用等领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD100N20
- 商品编号
- C6719394
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.914333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGMS5N50D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS = 200 V,ID = 100 A,RDS(ON) <28mΩ @ VGS = 10 V
- 快速开关
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源