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MD3N150
1个N沟道 耐压:1500V 电流:3A
- 描述
- MD3N150采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD3N150
- 商品编号
- C6719399
- 商品封装
- TO-3PH
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.938nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
MD3N150采用先进技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 1500 V,当栅源电压(VGS) = 10 V、漏极电流(ID) = 3 A时,导通电阻(R\text dson) < 9.0 Ω
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器