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AGM15T06LL
1个N沟道 耐压:150V 电流:180A
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- 描述
- AGM15T06LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM15T06LL
- 商品编号
- C6719404
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 412pF |
商品概述
AGM15T06LL 将先进的沟槽型 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，从而实现了极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。
商品特性
- 高密度先进沟槽技术
- 低导通电阻（RDS(ON)），以最大程度减少导电损耗
- 低栅极电荷，实现快速切换
- 低热阻
- 100% 阀值电击穿测试
- 100% 动态电压应力（DVDS）测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压 - 用于开关模式电源（SMPS）的次级侧同步整流器（适用于点负载应用） - 无刷直流（BLDC）电机驱动器