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MLG20T65FUL
650V 20A
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- 描述
- MLG20T65FUL采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于无刷直流电机（BLDC）、不间断电源（UPS）以及低VCE(sat)应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG20T65FUL
- 商品编号
- C6719397
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@20A,15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75ns | |
| 导通损耗(Eon) | 500uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 270uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 150ns |
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