BSS138DW-7-F-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双极N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于各种低功耗和小尺寸电子设备的开关和控制应用。SC70-6;2个N—Channel沟道,60V;0.3A;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS138DW-7-F-VB
- 商品编号
- C6705254
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V;3.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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