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FDS4435A-NL-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS4435A-NL-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:9A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道功率场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-9A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
商品型号
FDS4435A-NL-VB
商品编号
C6705259
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.267739克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V;24mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)1.455nF@15V
反向传输电容(Crss)145pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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