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IRF7342TRPBF-VB
2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7342TRPBF-VB
- 商品编号
- C6705272
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 栅极电阻（Rg）测试
- 100% 非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点（POL）、中间总线转换器（IBC）
- 次级侧
- N 沟道 MOSFET
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