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FDS6681Z-NL-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOSFET功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高效能耗的应用场景，包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDS6681Z-NL-VB商品编号
C6705262商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.21828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
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