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IRF7103TRPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7103TRPBF-VB

2个N沟道 耐压:60V 电流:7A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N+P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
商品型号
IRF7103TRPBF-VB
商品编号
C6705269
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.193672克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V;30mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.7nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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