IPD78CN10N G-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IPD78CN10N G-VB

商品编号

C6705266

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.579243克(g)