FDS3672-NL-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8;N—Channel沟道,100V;9A;RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS3672-NL-VB
- 商品编号
- C6705258
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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