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RFD14N05LSM
1个N沟道 耐压:50V 电流:14A
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- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD14N05LSM
- 商品编号
- C719826
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@5V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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