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WNMD2171-4/TR
WNMD2171-4/TR
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2171-4/TR
- 商品编号
- C719436
- 商品封装
- CSP-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
WNMD2171是双N沟道增强型MOS场效应晶体管，由于MOSFET1和MOSFET2的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该器件采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的Rss(ON)。此器件专为锂离子电池保护电路而设计，采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小型CSP 4L封装
应用领域
-锂离子电池保护电路