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WPM3028-8/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM3028-8/TR

1个P沟道 耐压:30V 电流:22A

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描述
WPM3028 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPM3028-8/TR
商品编号
C719458
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.164克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)2.106nF@15V
反向传输电容(Crss)274pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)353pF

商品概述

WPM3028是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM3028为无铅产品。

商品特性

  • 沟槽技术
  • 超高密度单元设计
  • 出色的导通电阻
  • 极低的阈值电压
  • 小封装DFN3X3-8L

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源转换器电路
  • 便携式设备的负载/电源开关

数据手册PDF