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WNM3018-3/TR
小信号N沟道，50V、0.2A MOSFET
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- 描述
- WNM3018 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3018-3/TR
- 商品编号
- C719462
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
WNM3018是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM3018无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护 >2 kV
- 小封装SOT - 323
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤等
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关
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