WPM2049B-3/TR
WPM2049B-3/TR
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2049B-3/TR
- 商品编号
- C719444
- 商品封装
- DFN-3L(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WPM2049B是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2049B无铅且无卤。
商品特性
- 沟槽技术
- ESD保护高达2 kV
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小封装DFN1006-3L
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换电路-电源开关-负载开关-充电