温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBF170
1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
- 描述
- 此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。它可用于最高要求 500mA DC 的大多数应用。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBF170
- 商品编号
- C719769
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达500mA直流电流的应用。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 这些是无铅器件
应用领域
- 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用