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ESD8351HT1G
停产 ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
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- 描述
- ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESD8351HT1G
- 商品编号
- C719770
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 11.2V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 击穿电压 | 5.5V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.55pF |
商品概述
ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
商品特性
- 低电容（最大0.55 pF，I/O到地）
- 符合以下IEC标准保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）、ISO 10605
- 低ESD钳位电压
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC - Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- USB 2.0
- eSATA