温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD11P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:9.4A
- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD11P06TM
- 商品编号
- C719783
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -9.4 A，-60 V，RDS(on) = 185 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -4.7 A
- 低栅极电荷（典型值13 nC）
- 低Crss（典型值45 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用