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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@5V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
~~- 规定雪崩能量-规定高温下的IDSS和VDS(导通)
应用领域
- 电源-转换器-动力电机控制-桥式电路
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