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FDC3601N

描述: 此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDC3601N
商品编号: C719810
商品封装: SuperSOT-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.041克(g)

商品参数

商品概述

这些额定电压为100V的N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持较低的栅极电荷，以实现出色的开关性能。这些器件专为在极小的占位面积内实现卓越的功率耗散而设计，适用于采用体积更大、成本更高的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。

商品特性

1.0 A，100 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 500 mΩ
VGS = 6.0 V时，RDS(ON) = 550 mΩ
低栅极电荷（典型值3.7nC）
快速开关速度
高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
SuperSOT - 6封装：占位面积比标准SO - 8小72%；低外形（厚度1mm）

应用领域

负载开关
电池保护
电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	1A
	导通电阻(RDS(on))	500mΩ@10V,1A
	耗散功率(Pd)	960mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.6V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	153pF@50V
	反向传输电容(Crss)	1pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃