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J112
1V@1uA
- 描述
- 特性：设计用于低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- J112
- 商品编号
- C719815
- 商品封装
- TO-92-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V@1uA | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |