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WSF20N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
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- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF20N20
- 商品编号
- C719270
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 136mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@8A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
WSF20N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF20N20符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关